삼성전자, 0.10 미크론 한계 돌파 신기술 발표
- 기가급 반도체 신기술로, VLSI학회 최우수 논문선정
- 0.11미크론 1기가 D램 상용제품 기술
- 4기가 이상급 D램 반도체용 신 재료(Ru) 적용기술
- 비메모리 반도체용 초고속 동작소자 개발
- 국제권위 학회 2연속 제패, 반도체 최고기술 입증
세계 각국의 반도체 업계가 기가반도체 시대를 주도할 기술개발 경쟁이 치
열한 가운데 삼성전자가 세계적 권위의 반도체 학회인 VLSI (Very Large
Scale Integration) 심포지움을 통해 차세대 기가급 반도체를 주도할 신기
술을 발표해 반도체 업계의 주목을 받고 있다.
삼성전자는 지난달 미국 하와이에서 열린 제20회 VLSI 심포지움에서 ▲
0.11미크론 1기가 D램 상용제품 기술 및 ▲4기가 이상급 D램 반도체용 신
재료(Ru) 적용기술 ▲ 비메모리 반도체용 초고속 동작소자 기술 등 차세
대 반도체 기술을 발표 했다.
특히 ▲0.11미크론 1기가 D램 상용제품 기술은 이번 심포지움에서 최우수
논문으로 선정되어 삼성전자가 지난해에 이어 2년 연속 최우수 논문을 발
표하는 영예를 안게 됐다.
삼성전자가 이번에 발표한 ▲0.11미크론 1기가 D램 상용제품 기술은 산화
알루미늄(Al2O3) 박막채용과 요철(凹凸)개념을 적용한 신구조(PAOSS)를 캐
퍼시터에 적용해 0.11미크론 가공공정에서도 상용화가 가능한 1기가 D램
반도체 생산이 가능케 한 기술로, 기존의 반도체 업계가 1기가 상용 D램
제품이 0.10미크론 이하의 공정기술을 적용해야만 가능할 것 이라는 예상
을 깨트렸다.
이 기술을 적용하면 0.10미크론 이하 공정기술 적용시 필수적으로 교체해
야하는 포토설비 및 감광제 등의 교체없이 0.11미크론 공정기술을 사용해
1기가 D램 반도체 상용제품 생산이 가능하기 때문에 신규설비 투자금액을
획기적으로 줄일 수 있어...